Dopants and defects in semiconductors / Matthew D. McCluskey, Eugene E. Haller.
نوع المادة :
نصتفاصيل النشر: Boca Raton, FL : Taylor & Francis, 2012.الوصف: xx, 370 p. : ill. ; 26 cmردمك: - 9781439831526 (hardback)
- 660.2977 23 MMD
- TK7871.85 .M3984 2012
- SCI013000 | SCI077000 | TEC021000
كتاب
مراجعات من LibraryThing.com:
| المكتبة الحالية | رقم الاستدعاء | حالة | الباركود | |
|---|---|---|---|---|
| المكتبة المركزية بالمجمعة (CL) | 660.2977 MMD (استعراض الرف(يفتح أدناه)) | المتاح | 00653272 | |
| المكتبة المركزية بالمجمعة (CL) | 660.2977 MMD (استعراض الرف(يفتح أدناه)) | المتاح | 00653273 | |
| المكتبة المركزية بالمجمعة (CL) | 660.2977 MMD (استعراض الرف(يفتح أدناه)) | المتاح | 00653274 | |
| مكتبة مجمع الكليات بالزلفى - طلاب (SZM) | 660.2977 MMD (استعراض الرف(يفتح أدناه)) | المتاح | 00653275 | |
| مكتبة مجمع الكليات بالزلفى - طلاب (SZM) | 660.2977 MMD (استعراض الرف(يفتح أدناه)) | المتاح | 00653276 |
Includes bibliographical references and index.
"Dopants and Defects in Semiconductors covers the theory, experimentation, and identification of impurities, dopants, and intrinsic defects in semiconductors. The book fills a crucial gap between solid-state physics and more specialized course texts.The authors first present introductory concepts, including basic semiconductor theory, defect classifications, crystal growth, and doping. They then explain electrical, vibrational, optical, and thermal properties. Moving on to characterization approaches, the text concludes with chapters on the measurement of electrical properties, optical spectroscopy, particle-beam methods, and microscopy.By treating dopants and defects in semiconductors as a unified subject, this book helps define the field and prepares students for work in technologically important areas. It provides students with a solid foundation in both experimental methods and the theory of defects in semiconductors"--
لا توجد تعليقات على هذا العنوان.
